ISBN/价格: | 978-7-122-41385-7:CNY49.00 |
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作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 二维Ⅲ-Ⅵ族化合物的自旋相关特性/.琚伟伟著 |
出版发行项: | 北京:,化学工业出版社:,2022.06 |
载体形态项: | 160页:;+图:;+21cm |
提要文摘: | 本书是作者近年来在对低维纳米材料的电子结构、磁特性以及自旋轨道耦合效应的研究基础上撰写而成的,系统地介绍了二维Ⅲ-Ⅵ族化合物的自旋相关特性。全书共分七章,前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法,第3章介绍了二维NⅢXⅥ(N=Ga,In;X=S,Se,Te)单层Rashba自旋劈裂的电场调控,第4章介绍了极性XABY(A,B=Ga,In;X≠Y=S,Se,Te)中显著的Rashba自旋劈裂,第5章介绍了Ⅱ型Sb/InSe范德华异质结中Rashba自旋劈裂的偶极子控制,第6章介绍了InSe/MTe2(M=Pd,Pt)范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特性,第7章介绍了InTe/PtSe2异质结中Rashba自旋劈裂效应。 |
题名主题: | 功能材料 |
中图分类: | TB34 |
个人名称等同: | 琚伟伟 著 |
记录来源: | CN 人天书店 20220815 |