ISBN/价格: | 978-7-03-071274-5:CNY119.00 |
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作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 压接型IGBT器件封装可靠性建模与测评/.李辉[等]著 |
出版发行项: | 北京:,科学出版社:,2023.3 |
载体形态项: | 177页:;+图,照片:;+24cm |
一般附注: | 大功率电力电子器件及装备可靠性研究系列 国家科学技术学术著作出版基金资助出版 |
提要文摘: | 本书介绍了压接型IGBT器件的发展趋势与封装可靠性研究现状,总结了压接型IGBT器件不同封装结构与失效模式,提出了压接型IGBT器件多物理场建模与性能仿真方法,建立了压接型IGBT器件封装疲劳失效物理场模型,提出了压接型IGBT器件封装可靠性计算方法,研制了压接型IGBT器件动静态、功率循环、短路冲击测试平台,构建了银烧结压接型IGBT器件封装老化失效与可靠性评估模型。 |
题名主题: | 绝缘栅场效应晶体管 封装工艺 可靠性试验 |
中图分类: | TN386.2 |
个人名称等同: | 李辉 著 |
记录来源: | CN 浙江省新华书店集团公司 20230414 |