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压接型IGBT器件封装可靠性建模与测评
| ISBN/价格： | 978-7-03-071274-5:CNY119.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 压接型IGBT器件封装可靠性建模与测评/.李辉[等]著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2023.3 |
| 载体形态项： | 177页:;+图，照片:;+24cm |
| 一般附注： | 大功率电力电子器件及装备可靠性研究系列 国家科学技术学术著作出版基金资助出版 |
| 提要文摘： | 本书介绍了压接型IGBT器件的发展趋势与封装可靠性研究现状，总结了压接型IGBT器件不同封装结构与失效模式，提出了压接型IGBT器件多物理场建模与性能仿真方法，建立了压接型IGBT器件封装疲劳失效物理场模型，提出了压接型IGBT器件封装可靠性计算方法，研制了压接型IGBT器件动静态、功率循环、短路冲击测试平台，构建了银烧结压接型IGBT器件封装老化失效与可靠性评估模型。 |
| 题名主题： | 绝缘栅场效应晶体管 封装工艺 可靠性试验 |
| 中图分类： | TN386.2 |
| 个人名称等同： | 李辉 著 |
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20230414 |