ISBN/价格: | 978-7-03-074714-3:CNY129.00 |
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作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 集成电路器件抗辐射加固设计技术/.闫爱斌[等]著 |
出版发行项: | 北京:,科学出版社:,2023.3 |
载体形态项: | 214页:;+图:;+24cm |
提要文摘: | 本书从集成电路器件可靠性问题出发,具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识,介绍了抗辐射加固设计(RHBD)技术以及在该技术中常用的相关组件,针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器(SRAM)单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术,描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。 |
题名主题: | 集成电路 电子器件 抗辐射性 机械加固 设计 |
中图分类: | TN402 |
个人名称等同: | 闫爱斌 著 |
记录来源: | CN 浙江省新华书店集团公司 20230406 |