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氮化物半导体太赫兹器件
| ISBN/价格： | 978-7-5606-6312-8:CNY128.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 610000 |
| 题名责任者项： | 氮化物半导体太赫兹器件/.冯志红编著 |
| 出版发行项： | 西安:,西安电子科技大学出版社:,2022.9 |
| 载体形态项： | 307页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 宽禁带半导体前沿丛书 |
| 一般附注： | 国家出版基金项目 |
| 提要文摘： | 本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展，包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、倍频器、功率放大器、直接调制器件和高灵敏探测器件等，涉及器件的基本工作原理、设计方法、工艺方法、测试方法和应用等。 |
| 并列题名： | Nitride semiconductor terahertz device eng |
| 题名主题： | 电磁辐射 应用 氮化镓 半导体器件 研究 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 冯志红 编著 |
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20230215 |