| ISBN/价格： | 978-7-5606-6430-9:CNY128.00 |
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| 作品语种： | chi |
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| 出版国别： | CN 610000 |
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| 题名责任者项： | 氧化镓半导体器件/.龙世兵，叶建东，吕元杰著 |
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| 出版发行项： | 西安:,西安电子科技大学出版社:,2022.9 |
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| 载体形态项： | 396页:;+图:;+24cm |
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| 丛编项： | 宽禁带半导体前沿丛书 |
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| 一般附注： | 国家出版基金项目 |
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| 提要文摘： | 本书共分为7章，第1-4章(氧化镓材料部分)介绍了氧化镓半导体材料的基本结构，单晶生长和薄膜外延方法，电学特性，氧化镓材料与金属、其他半导体的接触，氧化镓材料的刻蚀、离子注入、缺陷修复等内容；第5-7章(氧化镓器件部分)介绍了氧化镓二极管器件的应用方向、器件类型及其发展历程，氧化镓场效应晶体管的工作原理、性能指标、器件类型、发展历程以及今后的发展方向，氧化镓日盲深紫外光电探测器的工作原理、器件类型、成像技术等。 |
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| 并列题名： | Gallium oxide semiconductor devices eng |
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| 题名主题： | 氧化镓 半导体器件 |
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| 中图分类： | TN303 |
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| 个人名称等同： | 龙世兵 著 |
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| 个人名称等同： | 叶建东 著 |
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| 个人名称等同： | 吕元杰 著 |
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| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20230215 |
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