ISBN/价格: | 978-7-5606-6430-9:CNY128.00 |
作品语种: | chi |
出版国别: | CN 610000 |
题名责任者项: | 氧化镓半导体器件/.龙世兵,叶建东,吕元杰著 |
出版发行项: | 西安:,西安电子科技大学出版社:,2022.9 |
载体形态项: | 396页:;+图:;+24cm |
丛编项: | 宽禁带半导体前沿丛书 |
一般附注: | 国家出版基金项目 |
提要文摘: | 本书共分为7章,第1-4章(氧化镓材料部分)介绍了氧化镓半导体材料的基本结构,单晶生长和薄膜外延方法,电学特性,氧化镓材料与金属、其他半导体的接触,氧化镓材料的刻蚀、离子注入、缺陷修复等内容;第5-7章(氧化镓器件部分)介绍了氧化镓二极管器件的应用方向、器件类型及其发展历程,氧化镓场效应晶体管的工作原理、性能指标、器件类型、发展历程以及今后的发展方向,氧化镓日盲深紫外光电探测器的工作原理、器件类型、成像技术等。 |
并列题名: | Gallium oxide semiconductor devices eng |
题名主题: | 氧化镓 半导体器件 |
中图分类: | TN303 |
个人名称等同: | 龙世兵 著 |
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个人名称等同: | 叶建东 著 |
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个人名称等同: | 吕元杰 著 |
记录来源: | CN 浙江省新华书店集团公司 20230215 |