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宽禁带半导体氧化镓:结构、制备与性能
| ISBN/价格： | 978-7-5606-6444-6:CNY128.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 610000 |
| 题名责任者项： | 宽禁带半导体氧化镓/.陶绪堂[等]编著 |
| 出版发行项： | 西安:,西安电子科技大学出版社:,2022.09 |
| 载体形态项： | 316页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 宽禁带半导体前沿丛书 |
| 一般附注： | 国家出版基金项目 |
| 提要文摘： | 本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法，并对氧化镓的发展进行了综述和展望。 |
| 并列题名： | Wide bandgap gallium oxide semiconductor eng |
| 题名主题： | 禁带 氧化镓 半导体材料 |
| 中图分类： | TN304.2 |
| 个人名称等同： | 陶绪堂 编著 |
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20230215 |