| ISBN/价格： | 978-7-115-58481-6:CNY149.00 |
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| 作品语种： | chi |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 高压厚膜SOI-LIGBT器件关键技术/.张龙，孙伟锋，刘斯扬等著 |
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| 出版发行项： | 北京:,人民邮电出版社:,2023.07 |
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| 载体形态项： | 201页:;+图:;+24cm |
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| 丛编项： | 电子信息前沿专著系列 |
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| 一般附注： | “十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目 国家出版基金项目 |
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| 提要文摘： | 本书共7章，介绍了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原理，分析了器件的耐压、导通、关断原理；然后围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的关键技术，研究了高压互连线屏蔽技术、电流密度提升技术和快速关断技术三大类技术，分析了U型沟道电流密度提升技术、双沟槽互连线屏蔽技术、复合集电极快速关断技术等9种技术；并围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的鲁棒性，研究了关断失效、短路失效、开启电流过充、低温特性漂移；探讨了厚膜SOI-LIGBT器件的工艺和版图。 |
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| 并列题名： | High-voltage LIGBT on thick SOI: key technologies eng |
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| 题名主题： | 厚膜 半导体功能器件 研究 |
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| 中图分类： | TN389 |
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| 个人名称等同： | 张龙 著 |
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| 个人名称等同： | 孙伟锋 著 |
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| 个人名称等同： | 刘斯扬 著 |
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| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20230907 |
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