ISBN/价格: | 978-7-115-58481-6:CNY149.00 |
作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 高压厚膜SOI-LIGBT器件关键技术/.张龙,孙伟锋,刘斯扬等著 |
出版发行项: | 北京:,人民邮电出版社:,2023.07 |
载体形态项: | 201页:;+图:;+24cm |
丛编项: | 电子信息前沿专著系列 |
一般附注: | “十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目 国家出版基金项目 |
提要文摘: | 本书共7章,介绍了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原理,分析了器件的耐压、导通、关断原理;然后围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的关键技术,研究了高压互连线屏蔽技术、电流密度提升技术和快速关断技术三大类技术,分析了U型沟道电流密度提升技术、双沟槽互连线屏蔽技术、复合集电极快速关断技术等9种技术;并围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的鲁棒性,研究了关断失效、短路失效、开启电流过充、低温特性漂移;探讨了厚膜SOI-LIGBT器件的工艺和版图。 |
并列题名: | High-voltage LIGBT on thick SOI: key technologies eng |
题名主题: | 厚膜 半导体功能器件 研究 |
中图分类: | TN389 |
个人名称等同: | 张龙 著 |
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个人名称等同: | 孙伟锋 著 |
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个人名称等同: | 刘斯扬 著 |
记录来源: | CN 浙江省新华书店集团公司 20230907 |