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多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用
| ISBN/价格： | 978-7-03-076469-0:CNY150.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用/.贺朝会[等]著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2023.09 |
| 载体形态项： | 198页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 辐射环境模拟与效应丛书 |
| 提要文摘： | 本书介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10-10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律，在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。 |
| 题名主题： | 模拟方法 应用 半导体材料 损伤 研究 |
| 中图分类： | TN304 |
| 个人名称等同： | 贺朝会 著 |
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20231012 |