ISBN/价格: | 978-7-5024-9640-1:CNY72.00 |
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作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 掺杂GaN纳米线制备技术/.崔真,吴辉,李恩玲著 |
出版发行项: | 北京:,冶金工业出版社:,2023.10 |
载体形态项: | 158页:;+图:;+24cm |
相关题名附注: | 封面英文题名:Preparation technology of doped GaN nanowires |
提要文摘: | 本书共分9章,主要内容包括各种元素掺杂GaN纳米线的制备工艺与性能测试。对掺杂可以改善GaN纳米线电学特性的原因进行了讨论。另外,还介绍了AIN包覆、GaN纳米线的制备及表征,分析了AIN包覆GaN、纳米线的形成机理。 |
并列题名: | Preparation technology of doped GaN nanowires eng |
题名主题: | 纳米材料 研究 |
中图分类: | TB383 |
个人名称等同: | 崔真 著 |
个人名称等同: | 吴辉 著 |
个人名称等同: | 李恩玲 著 |
记录来源: | CN 浙江省新华书店集团公司 20231206 |