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掺杂GaN纳米线制备技术
| ISBN/价格： | 978-7-5024-9640-1:CNY72.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 掺杂GaN纳米线制备技术/.崔真，吴辉，李恩玲著 |
| 出版发行项： | 北京:,冶金工业出版社:,2023.10 |
| 载体形态项： | 158页:;+图:;+24cm |
| 相关题名附注： | 封面英文题名：Preparation technology of doped GaN nanowires |
| 提要文摘： | 本书共分9章，主要内容包括各种元素掺杂GaN纳米线的制备工艺与性能测试。对掺杂可以改善GaN纳米线电学特性的原因进行了讨论。另外，还介绍了AIN包覆、GaN纳米线的制备及表征，分析了AIN包覆GaN、纳米线的形成机理。 |
| 并列题名： | Preparation technology of doped GaN nanowires eng |
| 题名主题： | 纳米材料 研究 |
| 中图分类： | TB383 |
| 个人名称等同： | 崔真 著 |
| 个人名称等同： | 吴辉 著 |
| 个人名称等同： | 李恩玲 著 |
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20231206 |