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半导体干法刻蚀技术:原子层工艺
| ISBN/价格： | 978-7-111-73426-0:CNY119.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 半导体干法刻蚀技术/.(美) 索斯藤·莱尔著/.丁扣宝译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2023.09 |
| 载体形态项： | XIV, 225页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 集成电路科学与工程丛书 |
| 相关题名附注： | 原文题名取自封面 |
| 提要文摘： | 集成电路制造向几纳米节点工艺的发展, 需要具有原子级保真度的刻蚀技术, 原子层刻蚀 (ALE) 技术应运而生。本书主要内容有: 热刻蚀、热各向同性ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等, 探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术, 涵盖了定向和各向同性ALE的全新研究和进展。本书以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例, 例如栅极刻蚀、接触孔刻蚀或3DNAND通道孔刻蚀, 有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解。 |
| 题名主题： | 半导体工艺 干法刻蚀 |
| 中图分类： | TN305.7 |
| 个人名称等同： | 莱尔 索斯藤 著 |
| 个人名称次要： | 丁扣宝 译 |
| 记录来源： | CN LLBF 20240606 |