ISBN/价格: | 978-7-111-73426-0:CNY119.00 |
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作品语种: | chi eng |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 半导体干法刻蚀技术/.(美) 索斯藤·莱尔著/.丁扣宝译 |
出版发行项: | 北京:,机械工业出版社:,2023.09 |
载体形态项: | XIV, 225页:;+图:;+24cm |
丛编项: | 集成电路科学与工程丛书 |
相关题名附注: | 原文题名取自封面 |
提要文摘: | 集成电路制造向几纳米节点工艺的发展, 需要具有原子级保真度的刻蚀技术, 原子层刻蚀 (ALE) 技术应运而生。本书主要内容有: 热刻蚀、热各向同性ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等, 探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术, 涵盖了定向和各向同性ALE的全新研究和进展。本书以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例, 例如栅极刻蚀、接触孔刻蚀或3DNAND通道孔刻蚀, 有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解。 |
题名主题: | 半导体工艺 干法刻蚀 |
中图分类: | TN305.7 |
个人名称等同: | 莱尔 索斯藤 著 |
个人名称次要: | 丁扣宝 译 |
记录来源: | CN LLBF 20240606 |