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图解入门——半导体器件缺陷与失效分析技术精讲
| ISBN/价格： | 978-7-111-74962-2:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi jpn |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 图解入门——半导体器件缺陷与失效分析技术精讲/.(日)可靠性技术丛书编辑委员会主编/.(日)二川清编著/.(日)上田修，(日)山本秀和著/.李哲洋[等]译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2024.02 |
| 载体形态项： | 159页:;+24cm |
| 丛编项： | 集成电路科学与技术丛书 |
| 一般附注： | 机工通信 CMP BOOKS |
| 提要文摘： | 本书共分为四章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。 |
| 题名主题： | 半导体器件 缺陷 分析 图解 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称次要： | 二川清 编著 |
| 个人名称次要： | 上田修 著 |
| 个人名称次要： | 山本秀和 著 |
| 个人名称次要： | 李哲洋 译 |
| 团体名称等同： | 可靠性技术丛书编辑委员会 主编 |
| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20240315 |