| ISBN/价格： | 978-7-111-73693-6:CNY149.00 |
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| 作品语种： | chi eng |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 宽禁带半导体功率器件/.(美)贾扬·巴利加(B. Jayant Baliga)等著/.杨兵译 |
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| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2024.01 |
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| 载体形态项： | 331页:;+图:;+24cm |
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| 丛编项： | 半导体与集成电路关键技术丛书 |
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| 丛编项： | 微电子与集成电路先进技术丛书 |
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| 一般附注： | CMP BOOKS ELSEVIER |
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| 相关题名附注： | 版权页英文题名：Wide bandgap semiconductor power devices: materials, physics, design, and applications |
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| 提要文摘： | 本书讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性，以及功率应用中不同类型的器件结构，同时讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造，以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计，以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。 |
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| 并列题名： | Wide bandgap semiconductor power devices eng |
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| 题名主题： | 禁带 半导体器件 研究 |
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| 中图分类： | TN303 |
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| 个人名称等同： | 巴利加 贾扬 著 |
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| 个人名称次要： | 杨兵 译 |
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| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20231227 |
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