| ISBN/价格： | 978-7-5767-0544-7:CNY128.00 |
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| 作品语种： | chi |
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| 出版国别： | CN 230000 |
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| 题名责任者项： | 半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法/.李兴冀等编著 |
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| 出版发行项： | 哈尔滨:,哈尔滨工业大学出版社:,2023.07 |
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| 载体形态项： | 401页:;+图:;+24cm |
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| 一般附注： | 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作 国家出版基金项目 国家出版基金资助项目 |
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| 提要文摘： | 本书共分为4章：第1章为半导体物理基础，重点介绍缺陷相关理论；第2章介绍半导体材料器件与原始缺陷；第3章在辐射物理基础上，介绍了辐射诱导缺陷形成与演化、缺陷性质等模拟仿真方法及应用；第4章介绍半导体材料与器件缺陷表征与分析的常用方法。 |
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| 并列题名： | Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices eng |
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| 题名主题： | 半导体材料 研究 |
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| 题名主题： | 半导体器件 研究 |
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| 中图分类： | TN304 |
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| 中图分类： | TN303 |
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| 个人名称等同： | 李兴冀 编著 |
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| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20231212 |
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