| ISBN/价格： | 978-7-111-74188-6:CNY189.00 |
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| 作品语种： | chi eng |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 碳化硅器件工艺核心技术/.(希) 康斯坦丁·泽肯特斯, (英) 康斯坦丁·瓦西列夫斯基等著/.贾护军, 段宝兴, 单光宝译 |
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| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2024.01 |
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| 载体形态项： | xvi, 411页, [4] 页图版:;+图 (部分彩图):;+24cm |
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| 丛编项： | 半导体与集成电路关键技术丛书 |
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| 一般附注： | 机工电子 |
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| 相关题名附注： | 书名原文取自版权页 |
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| 提要文摘： | 本书共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的最新成果和发展趋势。 |
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| 题名主题： | 功率半导体器件 研究 |
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| 中图分类： | TN303 |
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| 个人名称等同： | 泽肯特斯 康斯坦丁 著 |
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| 个人名称等同： | 瓦西列夫斯基 康斯坦丁 著 |
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| 个人名称次要： | 贾护军 译 |
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| 个人名称次要： | 段宝兴 译 |
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| 个人名称次要： | 单光宝 译 |
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| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20240119 |
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