ISBN/价格: | 978-7-111-74188-6:CNY189.00 |
作品语种: | chi eng |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 碳化硅器件工艺核心技术/.(希) 康斯坦丁·泽肯特斯, (英) 康斯坦丁·瓦西列夫斯基等著/.贾护军, 段宝兴, 单光宝译 |
出版发行项: | 北京:,机械工业出版社:,2024.01 |
载体形态项: | xvi, 411页, [4] 页图版:;+图 (部分彩图):;+24cm |
丛编项: | 半导体与集成电路关键技术丛书 |
一般附注: | 机工电子 |
相关题名附注: | 书名原文取自版权页 |
提要文摘: | 本书共9章,以碳化硅(SiC)器件工艺为核心,重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术,以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等,每一部分都涵盖了上百篇相关文献,以反映这些方面的最新成果和发展趋势。 |
题名主题: | 功率半导体器件 研究 |
中图分类: | TN303 |
个人名称等同: | 泽肯特斯 康斯坦丁 著 |
---|
个人名称等同: | 瓦西列夫斯基 康斯坦丁 著 |
个人名称次要: | 贾护军 译 |
---|
个人名称次要: | 段宝兴 译 |
---|
个人名称次要: | 单光宝 译 |
记录来源: | CN 浙江省新华书店集团公司 20240119 |