| ISBN/价格： | 978-7-121-47453-8:CNY159.00 |
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| 作品语种： | chi eng |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | CMOS射频集成电路设计/.(美) Thomas H. Lee著/.余志平, 周润德等译 |
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| 版本项： | 第2版 |
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| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2024.03 |
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| 载体形态项： | 19, 595页:;+图:;+26cm |
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| 丛编项： | 国外电子与通信教材系列 |
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| 一般附注： | 华信 CAMBRIDGE |
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| 提要文摘： | 本书介绍了设计吉赫兹(GHz)CMOS射频集成电路的细节。全书首先介绍了无线电发展史和无线系统原理；在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布式系统特点的基础上，介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术；说明了现代高频宽带放大器的设计方法，讨论了关键的射频电路模块，包括低噪声放大器(LNA)、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器；并对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性进行了探讨；最后考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。 |
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| 题名主题： | CMOS电路 电路设计 教材 |
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| 中图分类： | TN710 |
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| 个人名称等同： | 李天和, 著 |
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| 个人名称次要： | 余志平 译 |
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| 个人名称次要： | 周润德 译 |
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| 记录来源： | CN 浙江省新华书店集团公司 20240426 |
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