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宽禁带功率半导体器件可靠性
| ISBN/价格： | 978-7-5766-0153-4:CNY58.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 320000 |
| 题名责任者项： | 宽禁带功率半导体器件可靠性/.孙伟锋[等]著 |
| 出版发行项： | 南京:,东南大学出版社:,2024.09 |
| 载体形态项： | 208页:;+图:;+26cm |
| 一般附注： | 江苏省“十四五”时期重点出版物出版专项规划项目 |
| 提要文摘： | 本书介绍了碳化硅、氮化镓功率器件在各类雪崩、短路、高温偏置等恶劣电热应力下的损伤机理，并讲述了相关表征方法及寿命模型，同时讨论了高可靠宽禁带器件新结构，对宽禁带功率器件相关技术人员及学者具有较强的指导意义。 |
| 题名主题： | 禁带 半导体器件 可靠性 研究 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 孙伟锋 著 |
| 记录来源： | CN LCTBU 20250325 |