| ISBN/价格： | 978-7-111-77348-1:CNY139.00 |
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| 作品语种： | chi eng |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | NAND闪存技术/.(日)有留诚一(Seiichi Aritome)著/.陈子琪译 |
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| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2025.02 |
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| 载体形态项： | 18,328页:;+图:;+24cm |
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| 丛编项： | 集成电路科学与工程丛书 |
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| 提要文摘： | 本书讨论了基本和先进的NAND闪存技术，包括NAND闪存的原理、存储单元技术、多比特位单元技术、存储单元的微缩挑战、可靠性和作为未来技术的3D单元。第1章描述了NAND闪存的背景和早期历史；第2章描述了器件的基本结构和操作；第3章讨论了以微缩为重点的存储单元技术；第4章介绍了多电平存储单元的先进操作；第5章讨论了微缩的物理限制；第6章描述了NAND闪存的可靠性；第7章研究了3D NAND闪存单元，并讨论了结构、工艺、操作、可扩展性和性能方面的优缺点；第8章讨论了3D NAND闪存面临的挑战；第9章总结并描述了未来NAND闪存的技术和市场前景。 |
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| 并列题名： | NAND flash memory technologies eng |
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| 题名主题： | 半导体存贮器 |
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| 中图分类： | TP333 |
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| 个人名称等同： | 有留诚一 (日) 著 |
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| 个人名称次要： | 陈子琪 译 |
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| 记录来源： | CN LCTBU 20250417 |
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