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硅基半导体应变理论与生长动力学
| ISBN/价格： | 978-7-5606-7503-9:CNY47.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 610000 |
| 题名责任者项： | 硅基半导体应变理论与生长动力学/.戴显英等著 |
| 出版发行项： | 西安:,西安电子科技大学出版社:,2025.03 |
| 载体形态项： | 189页:;+图:;+26cm |
| 一般附注： | 国家自然科学基金资助 中央高校基本科研业务费专项资金资助 |
| 提要文摘： | 本书分为9章，主要内容包括硅基半导体应变理论与技术、硅基半导体应变能带理论与空间群、应变锗能带结构计算、硅基半导体应变弹塑性力学理论、临界带隙应变Ge1-xSnx合金能带特性与迁移率计算、硅基半导体应变材料的RPCVD计算流体动力学模拟研究、硅基半导体应变材料CVD生长机理与生长动力学模型、硅基半导体应变材料的缺陷形成机理与控制方法、硅基半导体应变材料的生长动力学与制备实验。 |
| 题名主题： | 硅基材料 半导体物理学 研究 |
| 中图分类： | O47 |
| 个人名称等同： | 戴显英 著 |
| 记录来源： | CN LCTBU 20250826 |