| ISBN/价格: | 978-7-121-49968-5:CNY139.00 |
|---|---|
| 作品语种: | chi eng |
| 出版国别: | CN 110000 |
| 题名责任者项: | 半导体器件基础/.(美)Robert F. Pierret著/.黄如等译 |
| 出版发行项: | 北京:,电子工业出版社:,2025.03 |
| 载体形态项: | 16,532页:;+图:;+26cm |
| 一般附注: | 国外电子与通信教材系列 |
| 提要文摘: | 本书分为三个部分共19章,首先介绍了半导体基础,讲解了半导体物理方面的相关知识及半导体制备工艺方面的基本概念。书中阐述了pn结、双极结型晶体管(BJT)和其他结型器件的基本物理特性,并给出了相关特性的定性与定量分析。最后讨论了场效应器件,除了讲解基础知识,还分析了小尺寸器件相关的物理问题,并介绍了一些新型场效应器件。 |
| 并列题名: | Semiconductor device fundamentals eng |
| 题名主题: | 半导体器件 教材 |
| 中图分类: | TN303 |
| 个人名称等同: | 皮埃雷 罗伯特·F (美) 著 |
| 个人名称次要: | 黄如 译 |
| 记录来源: | CN LCTBU 20251009 |