| ISBN/价格： | 978-7-111-76455-7:CNY168.00 |
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| 作品语种： | chi eng |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 氮化镓电子器件热管理/.(美)马尔科·J. 塔德尔(Marko J. Tadjer), (美)特拉维斯·J. 安德森(Travis J. Anderson)主编/.来萍[等]译 |
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| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2025.01 |
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| 载体形态项： | 14,415页:;+图,彩照:;+24cm |
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| 丛编项： | 先进半导体产业关键技术丛书 |
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| 提要文摘： | 本书概述了业界前沿研究者所采取的技术方法,以及他们所面临的挑战和在该领域所取得的进展。具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓(GaN)及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量等。 |
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| 并列题名： | Thermal management of gallium nitride electronics eng |
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| 题名主题： | 氮化镓 电力半导体器件 传热学 |
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| 中图分类： | TN303 |
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| 个人名称等同： | 塔德尔 马尔科·J (美) 主编 |
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| 个人名称等同： | 安德森 特拉维斯·J (美) 主编 |
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| 个人名称次要： | 来萍 译 |
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| 记录来源： | CN LCTBU 20251009 |
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