| ISBN/价格： | 978-7-111-78270-4:CNY79.00 |
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| 作品语种： | chi eng |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 纳米级CMOS VLSI电路/.(美)桑迪普·昆杜(Sandip Kundu)，(美)阿斯温·斯雷德哈(Aswin Sreedhan)著/.潘彪，康旺，蒋林君译 |
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| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2025.06 |
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| 载体形态项： | 216页:;+图:;+24cm |
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| 一般附注： | 集成电路大师级系列 |
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| 提要文摘： | 本书首先介绍了CMOS VLSI设计的趋势，并介绍了可制造性设计和可靠性设计的基本概念；其次介绍了半导体制造的各种工艺步骤，并探讨了工艺与器件偏差以及分辨率增强技术；然后研究了半导体制造过程中的各种制造缺陷及其对电路的影响，并讨论了可靠性问题的物理机制及其影响；最后探讨了在电路实现过程中不同阶段采用DFM和DFR方法所带来的变化。 |
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| 并列题名： | Nanoscale CMOS VLSI circuits eng |
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| 题名主题： | 纳米材料 CMOS电路 超大规模集成电路 电路设计 |
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| 中图分类： | TN432.02 |
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| 个人名称等同： | 昆杜 桑迪普 (美) 著 |
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| 个人名称等同： | 斯雷德哈 阿斯温 (美) 著 |
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| 个人名称次要： | 潘彪 译 |
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| 个人名称次要： | 康旺 译 |
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| 个人名称次要： | 蒋林君 译 |
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| 记录来源： | CN LCTBU 20251009 |
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