| ISBN/价格： | 978-7-03-080389-4:CNY188.00 |
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| 作品语种： | chi |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 氮化镓凹槽阳极器件理论与应用/.张进成著 |
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| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2024.12 |
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| 载体形态项： | 260页:;+图:;+26cm |
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| 相关题名附注： | 封面英文题名:Theory and application of GaN devices with recessed anode |
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| 提要文摘： | 本书介绍了宽禁带氮化镓凹槽阳极结构的物理特性和实现方法,重点讲述了氮化镓凹槽阳极二极管器件。全书共分为8章,内容包括绪论、凹槽阳极GaN肖特基结器件制备工艺、位错免疫的凹槽阳极GaN肖特基结器件结构与特性、凹槽阳极GaN肖特基结开启电压调控方法、面向不同应用的凹槽阳极GaN肖特基二极管、凹槽阳极结构肖特基漏高电子迁移率晶体管、氮化镓p沟道凹槽栅场效应晶体管以及大功率GaN二极管整流和限幅电路。 |
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| 并列题名： | Theory and application of GaN devices with recessed anode eng |
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| 题名主题： | 氮化镓 半导体二极管 研究 |
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| 中图分类： | TN3 |
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| 个人名称等同： | 张进成 著 |
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| 记录来源： | CN LCTBU 20251012 |
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