| ISBN/价格： | 978-7-111-76317-8:CNY119.00 |
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| 作品语种： | chi eng |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 宽禁带功率半导体封装/.(日)菅沼克昭主编/.朱正宇，方幸泉，肖广源译 |
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| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2024.10 |
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| 载体形态项： | 203页:;+图，照片:;+24cm |
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| 丛编项： | 半导体与集成电路关键技术丛书 |
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| 提要文摘： | 本书是国外学者们对宽禁带半导体封装技术和趋势的及时总结。首先，对宽禁带功率器件的发展趋势做了总结和预演判断，讲述宽禁带功率半导体的基本原理和特性，包括其独特的物理和化学属性，以及它们在极端环境下的潜在优势。接着介绍封装材料的选择和特性，分别就互连技术和衬底展开论述，同时，介绍了磁性材料，并对不同材料结构的热性能，以及冷却技术和散热器设计进行了介绍。然后，考虑到功率器件的质量必须通过各种测试和可靠性验证方法来评估，还介绍了瞬态热测试的原理和方法，同时阐述了各种可靠性测试的机理和选择动机。最后，就计算机辅助工程模拟方法列举了许多经典案例。 |
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| 并列题名： | Wide bandgap power semiconductor packaging eng |
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| 题名主题： | 半导体器件 |
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| 中图分类： | TN303 |
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| 个人名称等同： | 菅沼克昭 (日) 主编 |
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| 个人名称次要： | 朱正宇 译 |
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| 个人名称次要： | 方幸泉 译 |
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| 个人名称次要： | 肖广源 译 |
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| 记录来源： | CN LCTBU 20251012 |
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