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碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术
| ISBN/价格： | 978-7-111-77893-6:CNY149.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 碳化硅功率器件/.高远，张岩编著 |
| 版本项： | 2版 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2025.06 |
| 载体形态项： | 19,536页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 电力电子新技术系列图书 |
| 提要文摘： | 本书共分为12章，内容涵盖功率半导体器件基础，SiC二极管的主要特性，SiCMOSFET参数的解读、测试及应用，SiC器件与Si器件特性对比，双脉冲测试技术，SiC器件测试和失效分析技术，高di/dt影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对——串扰，高dv/dt影响与应对——共模电流，共源极电感影响与应对，驱动电路，SiC器件的主要应用。 |
| 并列题名： | Silicon carbide power semiconductor devices eng |
| 题名主题： | 功率半导体器件 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 高远 编著 |
| 个人名称等同： | 张岩 编著 |
| 记录来源： | CN LCTBU 20251012 |