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图解高可靠性SiC功率半导体器件与封装技术
| ISBN/价格： | 978-7-111-79099-0:CNY69.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi jpn |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 图解高可靠性SiC功率半导体器件与封装技术/.(日) 岩室宪幸著/.朱光耀等译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2025.10 |
| 载体形态项： | 153页:;+图:;+21cm |
| 丛编项： | 集成电路科学与技术丛书 |
| 一般附注： | 机工通信 CMP BOOKS |
| 提要文摘： | 本书共有5章，首先讲解了包括功率半导体器件基础，如种类、结构、在电路中的作用等；接着阐述了硅功率半导体器件现状，重点聚焦SiC功率半导体器件，并深入探讨了SiC-MOSFET的结构、原理、应用、发展现状、面临的挑战及解决方法，详细论述了其耐受能力指标，如短路、关断等耐受能力，最后讲解了SiC-MOSFET封装技术。 |
| 题名主题： | 功率半导体器件 封装工艺 图解 |
| 中图分类： | TN305.94 |
| 个人名称等同： | 岩室宪幸 著 |
| 个人名称次要： | 朱光耀 译 |
| 记录来源： | CN 百万庄 20251104 |