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高电子迁移率晶体管建模理论与实践
| ISBN/价格： | 978-7-121-51749-5:CNY128.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 高电子迁移率晶体管建模理论与实践/.高建军著 |
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2025.12 |
| 载体形态项： | 18,274页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 集成电路系列丛书.集成电路设计 |
| 一般附注： | 工信学术出版基金 集成电路产业知识赋能工程 电子信息·Ei精品 |
| 提要文摘： | 本书是作者在微波和光通信技术领域多年工作、学习、研究和教学过程中获得的知识和经验的总结，内容包括微波网络信号矩阵技术和微波网络噪声矩阵技术，以及以此为基础的微波射频高电子迁移率晶体管建模和测试技术。 |
| 并列题名： | High electron mobility transistor modeling theory and practice eng |
| 题名主题： | 高电子迁移率晶体管 研究 |
| 中图分类： | TN32 |
| 个人名称等同： | 高建军 著 |
| 记录来源： | CN LCTBU 20260319 |